[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为NMOS器件，在多晶硅栅两侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中还形成有用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。

主权项

一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为NMOS器件，包括：形成于P阱之上的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层；在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成侧墙；在所述多晶硅栅两侧的所述P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；所述N型源漏注入区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；其特征在于，还包括：在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成有用于降低所述ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，所述第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于所述N型源漏注入区的结深、所述第二P型轻掺杂漏注入区穿过所述N型源漏注入区并进入到所述N型源漏注入区底部的所述P阱中；所述第二P型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘相隔一横向距离。