[发明专利]一种用于真空处理装置的载置台有效
申请号: | 201210153374.8 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN103422072A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 李苍 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴世华;冯志云 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种真空处理装置的载置台,包括基座和转轴,该基座的下表面中心设有一第一凹槽;该转轴至少包括一连接端,该连接端与该第一凹槽相匹配,使该转轴能够插入该第一凹槽;该载置台还包括至少一个凹入该第一凹槽的该第二凹槽、与该第二凹槽数量相同且凹入该连接端端面的第三凹槽、与该第三凹槽数量相同的锁舌以及控制单元;每个锁舌分别设置于第三凹槽内,并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面,用于带动基座同步转动;控制单元接收转轴的转动或停止状态信号,控制锁舌伸出并进入第二凹槽内,或控制锁舌缩回第三凹槽。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 真空 处理 装置 载置台 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置的载置台,包括:基座,所述基座的下表面中心设有一第一凹槽;转轴,所述转轴至少包括一连接端,所述连接端与所述第一凹槽相匹配,使所述转轴能够插入所述第一凹槽;其特征在于,还包括:至少一个凹入所述第一凹槽的所述第二凹槽;与所述第二凹槽数量相同且凹入所述连接端端面的第三凹槽;与所述第三凹槽数量相同的锁舌,每个所述锁舌分别设置于所述第三凹槽内,并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面,用于带动所述基座同步转动;控制单元,接收所述转轴的转动或停止状态信号,控制所述锁舌伸出并进入所述第二凹槽内,或控制所述锁舌缩回所述第三凹槽。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的