[发明专利]一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法有效
| 申请号： | 201210153476.X | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102701212A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孙艳辉;陈红雨;刘玉 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 李柏林 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法，包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境下加热至硅完全熔化，并保持该温度40-80min以精炼硅块；2）在步骤1）的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50-100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步的环境降温至工业硅块处于固态得到硅锭，切除该硅锭的渣相层即可。本工艺流程可以纯化各种型号的工业硅，且无需对样品进行粉碎球磨，只需简单的破碎，对样品尺寸要求较宽；本工艺无需任何酸洗步骤，避免了大量强腐蚀性酸的使用，简化了工艺，降低了成本；本工艺可以将磷、砷、锑、钙等杂质去除到满足太阳能级多晶硅要求；硼杂质降低至1.5-0.3ppmw，满足太阳能级多晶硅标准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 提纯 工业 方法 | ||
【主权项】：
一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境下加热至硅完全熔化，并保持该温度40‑80min以精炼硅块；2）在步骤1）的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50‑100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步的环境降温至工业硅块处于固态得到硅锭，切除该硅锭的渣相层即可。
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