[发明专利]用于保护不受静电放电伤害的高性能器件

摘要

本申请涉及一种用于保护不受静电放电伤害的高性能器件。具体而言，公开了一种用于保护不受静电放电伤害的半导体器件，其包括用于保护不受静电放电伤害的若干模块(MDi)，所述模块包括与触发装置耦合的可触发元件(TRi)，所述模块通过电阻性网络(R)的介入连接在两个端子之间。共同半导体层与所有模块接触，每个可触发元件(TRi)具有至少一个栅极(GHi)，并且触发装置包括对所有可触发元件而言共同并且其输出连接到所有可触发元件的栅极的单个触发电路(TC)。

主权项

一种用于保护不受静电放电伤害的半导体器件，其包括用于保护不受静电放电伤害的若干模块(MDi)，所述模块包括与触发装置(TC)耦合的可触发元件(TRi)，所述模块通过电阻性网络(R)的介入连接在两个端子之间，其特征在于：所述器件包括与所有所述模块(MDi)接触的共同半导体层(CSC)，每个可触发元件(TRi、THi)具有至少一个栅极(GHi)，每个模块的尺寸被确定以便在存在所述静电放电的情况下处于饱和状态中，所述触发装置(TC)包括对所有所述可触发元件而言共同并且其输出连接到所有所述可触发元件的所述栅极(GHi)的单个触发电路。