[发明专利]SOI MOS晶体管

摘要

本发明提供了一种SOI MOS晶体管，包括：形状连续的有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；H型或T型栅极，包括主栅部分和至少一个扩展栅部分，其中每个扩展栅部分位于主栅部分在宽度方向上的一个末端并在主栅部分的长度方向上延伸；源区和漏区，分别位于主栅部分两侧的有源区中；源端体接触区，位于源区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与源区隔离；漏端体接触区，位于漏区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与漏区隔离；其中，对于扩展栅部分之一的外侧具有源端体接触区和/或漏端体接触区的情况，主栅部分在该扩展栅部分的一端在宽度方向上延伸超过有源区的边界。本发明提供的SOIMOS晶体管可以更有效地抑制浮体效应，减小侧向漏电、体电阻及寄生电容。

主权项

一种SOI MOS晶体管，包括：形状连续的有源区（307），形成于SOI衬底（300）的SOI层中；H型或T型栅极，包括主栅部分（301）和至少一个扩展栅部分（302），其中每个扩展栅部分（302）位于主栅部分在宽度方向上的一个末端并在主栅部分（301）的长度方向上延伸；源区（303）和漏区（304），分别位于主栅部分（301）两侧的有源区中；源端体接触区（305），位于源区（303）一侧的有源区中，并由扩展栅部分（302）与源区隔离；与源端体接触区（305）分开的漏端体接触区（306），位于漏区（304）一侧的有源区中，并由扩展栅部分（302）与漏区（304）隔离；其中，对于扩展栅部分之一的外侧具有源端体接触区（305）和/或漏端体接触区（306）的情况，主栅部分（301）在该扩展栅部分（302）的一端在宽度方向上延伸超过有源区的边界。