[发明专利]半导体制品钨槽接触电阻测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210154658.9 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426865A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制品钨槽接触电阻测试结构，在硅衬底上形成有三个依次相邻的有源区，三个有源区与衬底同为N型或P型；第一个有源区上形成的X个钨槽构成第一钨槽阵列同接第一金属层，第二个有源区上形成的Y个钨槽构成第二钨槽阵列同接第二金属层，第三个有源区上形成的Z个钨槽构成第三钨槽阵列同接第三金属层；三个钨槽阵列中的各个钨槽的尺寸相同；第一钨槽阵列与第二钨槽阵列之间的间距，等于第二钨槽阵列与第三钨槽阵列之间的间距；X,Y,Z为正整数，X不等于Z。本发明还公开了利用该半导体制品钨槽接触电阻测试结构进行钨槽接触电阻测试的方法。本发明能准确测得钨槽的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制品 接触 电阻 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制品钨槽接触电阻测试结构，其特征在于，在硅衬底上形成有三个依次相邻的有源区，三个有源区与衬底同为N型或P型；第一个有源区上形成有X个钨槽，该X个钨槽构成第一钨槽阵列同接第一金属层；第二个有源区上形成有Y个钨槽，该Y个钨槽构成第二钨槽阵列同接第二金属层；第三个有源区上形成有Z个钨槽，该Z个钨槽构成第三钨槽阵列同接第三金属层；第一金属层、第二金属层、第三金属层之间电绝缘；三个钨槽阵列中的各个钨槽的尺寸相同；第一钨槽阵列与第二钨槽阵列之间的间距，等于第二钨槽阵列与第三钨槽阵列之间的间距；X,Y,Z为正整数，X不等于Z。
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