[发明专利]围栏间隔的设计规则测试电路有效
| 申请号： | 201210155011.8 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426866A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种围栏间隔的设计规则测试电路，包括：导电层；设于所述导电层的多个通孔，所述多个通孔在所述导电层上呈纵列分布，且每个通孔与所述导电层的围栏间隔各不相等；栅极与所述导电层电连接、漏极与电源输入端电连接、源极与电源输出端电连接的MOSFET；分别与所述多个通孔电连接的多个导线层，所述多个导线层分别与多个控制端电连接。多个该电路可通过其中MOSFET的源极、漏极进行串联形成更大的测试电路。该电路通过测量MOSFET的饱和电流Idsat，进而测试出不会由于制造工艺的误差而使导电层与通孔在实际制造过程中的位置偏移而产生断路的最佳的围栏间隔。本发明的围栏间隔的设计规则测试电路减少了焊垫的使用，节省版图空间，并简化检测过程。 | ||
| 搜索关键词： | 围栏 间隔 设计 规则 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种围栏间隔的设计规则测试电路，其特征在于，包括：一导电层；设于所述导电层的多个通孔，所述多个通孔在所述导电层上呈纵列分布，且每个通孔与所述导电层的围栏间隔各不相等；栅极与所述导电层电连接、漏极与电源输入端电连接、源极与电源输出端电连接的MOSFET；分别与所述多个通孔电连接的多个导线层，所述多个导线层分别与多个控制端电连接。
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