[发明专利]成膜方法和成膜装置有效

专利信息
申请号: 201210155103.6 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN102787304A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 加藤寿;牛窪繁博;田村辰也;尾崎成则;熊谷武司;菊地宏之 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/455;H01L21/31
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上;使旋转台旋转;吸附步骤,自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体,使第1反应气体吸附于基板;形成步骤,自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体,使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应,在基板上形成反应生成物;向等离子体产生部供给含氢气体,在旋转台的上方生成等离子体,该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。
搜索关键词: 方法 装置
【主权项】:
一种成膜方法,其中该成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将上述基板载置在能旋转地设在上述真空容器内的旋转台上;使上述旋转台旋转;吸附-形成-照射步骤,自第1反应气体供给部向上述基板供给第1反应气体,使上述第1反应气体吸附于上述基板,自第2反应气体供给部向上述基板供给与上述第1反应气体反应的第2反应气体,使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应,在上述基板上形成反应生成物,向等离子体产生部供给含氢气体,在上述旋转台的上方生成等离子体,向上述反应生成物照射等离子体,该等离子体产生部在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部及上述第2反应气体供给部分开地设置。
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