[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
申请号: | 201210155103.6 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN102787304A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 加藤寿;牛窪繁博;田村辰也;尾崎成则;熊谷武司;菊地宏之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上;使旋转台旋转;吸附步骤,自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体,使第1反应气体吸附于基板;形成步骤,自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体,使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应,在基板上形成反应生成物;向等离子体产生部供给含氢气体,在旋转台的上方生成等离子体,该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其中该成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将上述基板载置在能旋转地设在上述真空容器内的旋转台上;使上述旋转台旋转;吸附-形成-照射步骤,自第1反应气体供给部向上述基板供给第1反应气体,使上述第1反应气体吸附于上述基板,自第2反应气体供给部向上述基板供给与上述第1反应气体反应的第2反应气体,使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应,在上述基板上形成反应生成物,向等离子体产生部供给含氢气体,在上述旋转台的上方生成等离子体,向上述反应生成物照射等离子体,该等离子体产生部在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部及上述第2反应气体供给部分开地设置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的