[发明专利]可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器有效
| 申请号： | 201210155449.6 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102684071A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 余力强;赵玲娟;朱洪亮;吉晨;陆丹;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层；一InGaAsP下限制层；一多量子阱有源层；一InGaAsP上限制层，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p-InP层；一p-InGaAsP刻蚀阻止层；一上p-InP盖层；一p-InGaAs欧姆接触层，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 模式 间距 100 ghz 双模 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，包括：一衬底；一n‑InP缓冲层，该n‑InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层，该InGaAsP下限制层制作在该n‑InP缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在该InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层，该InGaAsP上限制层制作在该多量子阱有源层上，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p‑InP层，该p‑InP层制作在该InGaAsP上限制层上；一p‑InGaAsP刻蚀阻止层，该p‑InGaAsP刻蚀阻止层制作在该p‑InP层上；一上p‑InP盖层，该上p‑InP盖层制作在该p‑InGaAsP刻蚀阻止层上；一p‑InGaAs欧姆接触层，该p‑InGaAs欧姆接触层制作在该上p‑InP盖层上，在该p‑InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p‑InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p‑InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p‑InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。
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