[发明专利]一种沟槽结构肖特基器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽结构肖特基器件，本发明的器件具有多个沟槽，通过引入不同深度的沟槽，改变器件PN结边缘的曲率，从而提高器件的反向阻断特性；本发明的器件在制造终端结构的同时，将器件的肖特基势垒结窗口设置在主结沟槽底部，简化了器件的制造流程，使用两次光刻工艺可以实现器件生产制造。本发明还提供了一种沟槽结构肖特基器件的制备方法。

主权项

一种沟槽结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；一个主结沟槽，位于器件中心位置漂移层中，槽底部位于漂移层中，沟槽内壁表面没有绝缘材料，临靠沟槽侧壁和底部边缘区域设置有第二传导类型半导体材料；一个或多个终端沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面没有绝缘材料，临靠沟槽侧壁和底部区域设置有第二传导类型半导体材料，终端沟槽的沟槽深度小于主结沟槽深度，主结沟槽侧壁第二传导类型半导体材料与终端沟槽侧壁的第二传导类型半导体材料相连，其中多个终端沟槽侧壁的第二传导类型半导体材料相连，其中多个终端沟槽的沟槽深度和宽度随着远离主结沟槽逐渐变小；钝化层，为绝缘材料层，位于漂移层表面；肖特基势垒结，位于主结沟槽内壁表面，肖特基势垒结边缘被第二传导类型半导体材料包裹；上下表面金属层，位于肖特基器件上下表面，上表面金属层连接肖特基势垒结和终端沟槽内壁，并延伸至器件边缘漂移层上部钝化层表面。