[发明专利]一种形成钨塞的方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种形成钨塞的方法。本发明提出一种形成钨塞的方法，通过采用非晶碳层作为研磨的停止层，能很好的保护介质层在研磨工艺中的损伤，避免化学机械研磨工艺对器件阻容的影响，进而提高产品的良率。

主权项

一种形成钨塞的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在一硅衬底的上表面上依次制备刻蚀停止层和层间介质层，沉积非晶碳层覆盖所述层间介质层的上表面，沉积介质抗反射层覆盖所述非晶碳层的上表面；步骤S2：光刻、刻蚀所述介质抗反射层、非晶碳层、层间介质层和刻蚀阻挡层至所述硅衬底的上表面形成接触孔；其中，所述介质抗反射层被去除，暴露的非晶碳层被部分去除；步骤S3：沉积阻挡层覆盖剩余非晶碳层的上表面和所述接触孔的底部及其侧壁后，继续填充钨充满接触孔；步骤S4：采用化学机械研磨工艺去除部分钨至剩余非晶碳层的上表面后，去除所述剩余非晶碳层。