[发明专利]一种侧墙薄膜沉积方法无效
| 申请号： | 201210158833.1 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102703878A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/56;C23C16/40;C23C16/42 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种侧墙沉积方法，包括：准备衬底，设定进行次大气压化学气相沉积的气体流量、压力和温度；对衬底进行薄膜沉积；对沉积形成的薄膜进行紫外光照射；取出衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种侧墙沉积方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：准备衬底，设定进行次大气压化学气相沉积的气体流量、压力和温度；步骤2：对衬底进行薄膜沉积；步骤3：对沉积形成的薄膜进行紫外光照射；步骤4：取出衬底。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
