[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201210159543.9 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102800635A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金谷康;塚原良洋 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种能够有效地进行散热的半导体装置。在主体芯片（1）的表面设置有电路图案（4），该电路图案（4）具有源极焊盘（5）。在盖芯片（2）的表面设置有凹部（11），在背面设置有凹部（12）。盖芯片（2）以使凹部（11）与电路图案（4）对置的方式与主体芯片（1）接合。在盖芯片（2）的凹部（11）的底面设置有焊盘（13）。在盖芯片（2）的凹部（12）中填充有金属构件（14）。贯通电极（15）贯通盖芯片（2），连接焊盘（13）和金属构件（14）。凸起（16）连接源极焊盘（5）与焊盘（13）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：主体芯片；电路图案，设置在所述主体芯片的表面，并且具有第一焊盘；盖芯片，在表面设置有第一凹部，在背面设置有第二凹部，以使所述第一凹部与所述电路图案对置的方式与所述主体芯片接合；第二焊盘，设置在所述盖芯片的所述第一凹部的底面；第一金属构件，填充于所述盖芯片的所述第二凹部；第一贯通电极，贯通所述盖芯片，连接所述第二焊盘和所述第一金属构件；以及凸起，连接所述第一焊盘和所述第二焊盘。
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