[发明专利]缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法有效
| 申请号： | 201210160213.1 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103422169A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 欧阳晓平;刘芳;刘金良;刘洋;苏春磊;陈亮;张忠兵;赵晓川;程晓磊;张子 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710024 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于核辐射探测领域，涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体，通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间，使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns，为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径，为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便，具有较好的稳定性和重现性。 | ||
| 搜索关键词： | 缩短 csi na 晶体 射线 激发 发光 衰减 时间 方法 | ||
【主权项】：
一种缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法，其特征在于：包括以下步骤：1】制备CsI(Na)晶体；2】利用高能球磨机或者高速气流粉碎机配置微米粒度分级机将CsI(Na)晶体制备成微米粒度的粉末；3】用微米粒度的CsI(Na)晶体粉末制备探测器，进行快脉冲辐射探测。
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