[发明专利]用于生成可调带隙参考电压的方法和设备有效
| 申请号： | 201210160927.2 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789254A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | J·弗特;T·索德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生成可调带隙参考电压的方法和设备。用于生成可调带隙参考电压的方法包括：生成与绝对温度成正比的电流(Iptat)，包括均衡在芯(CR)的端子(BE1，BE2)两端的电压，芯(CR)被设计成然后由所述与绝对温度成正比的电流穿越；生成与对温度成反比的电流(Ictat)；将这两个电流求和；以及基于所述电流之和生成所述带隙参考电压(VBG)；所述均衡包括：在芯(CR)的端子两端连接第一反馈放大器(AMP1)，第一反馈放大器拥有至少一个第一级(ET1)，第一级布置为折叠设置并且包括根据共同栅极设置而布置的第一PMOS晶体管；以及基于所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)偏置所述第一级，两个电流的所述求和在第一放大器的反馈级(ETR)中执行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 可调 参考 电压 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于生成可调带隙参考电压的方法，包括：生成与绝对温度成正比的电流(Iptat)，包括均衡在芯(CR)的端子(BE1，BE2)两端的电压，所述芯(CR)被设计成然后由所述与绝对温度成正比的电流穿越；生成与绝对温度成反比的电流(Ictat)；将这两个电流求和；以及基于所述电流之和生成所述带隙参考电压(VBG)，其特征在于，所述均衡包括：在所述芯(CR)的所述端子两端连接第一反馈放大器(AMP1)，所述第一反馈放大器拥有至少一个第一级(ET1)，所述第一级布置为折叠设置并且包括根据共同栅极设置而布置的第一PMOS晶体管；以及基于所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)偏置所述第一级，所述两个电流的所述求和在所述第一放大器的反馈级(ETR)中执行。
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