[发明专利]一种直拉单晶生产过程中的除杂方法

摘要

本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法，该方法主要是在单晶炉内快速吊起硅晶体，使硅晶体下端离开液面并在硅晶体的底部形成内凹面；然后将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面，使硅熔液液面的不可熔杂质逐渐吸附在硅晶体上。采用本发明，因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液，气体鼓向硅晶体的四周并冒泡，带走硅晶体底部及周围的热量，形成更低的局部温度，不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上，这样，能最大限度地将不可熔杂质通过吸附后除去，大大提高了硅的纯度，促进了硅单晶生长，提高了硅单晶的产品质量。

主权项

一种直拉单晶生产过程中的除杂方法，其特征在于它采取以下步骤，A：将单晶炉内温度升温到硅的熔点，使硅料全熔成液体；B：将单晶炉内温度降至引晶温度，把籽晶插入硅熔液液面；C：降低单晶炉内温度10～20℃，直接进行放肩、转肩、等径操作,等径长度控制在1.5cm～2.5cm之间，直径控制在120mm以上；D：快速吊起硅晶体，使硅晶体下端离开液面达35～45㎝并冷却10～20分钟；同时，将埚转降低使单晶炉内温度快速回升，停止晶转并降低埚升至距离导流筒4～6㎝；此时，硅晶体的底部会形成内凹面；E：当单晶炉内温度升温至到比引晶温度高出10～20℃时，将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面，停留一定时间，硅熔液液面的不可熔杂质会逐渐吸附在硅晶体上；F：使用硅晶体间断地缓慢地提升，充分吸附不可熔杂质，直至取出含杂质硅晶体，去杂完成。