[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210162113.2 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN102693918A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 曾伟豪;周奇纬;丁宏哲 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;王颖
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种薄膜晶体管及其制造方法,薄膜晶体管包括在基板上形成栅极,在栅极上形成绝缘层,然后在绝缘层上形成通道层。再来,在通道层上形成第一材料层,其中第一材料层包括含氧的绝缘材料。然后,在第一材料层上形成第二材料层,其中第二材料层包括金属材料。之后,在第二材料层以及第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出通道层。然后,在第二材料层上形成源极以及漏极,其中源极以及漏极通过接触窗开口而与通道层接触。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在一基板上形成一栅极;在该栅极上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一通道层;在该通道层上形成一第一材料层,该第一材料层包括一含氧的绝缘材料;在该第一材料层上形成一第二材料层,该第二材料层包括一金属材料;在该第二材料层以及该第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出该通道层;以及在该第二材料层上形成一源极以及一漏极,该源极以及该漏极通过这些接触窗开口而与该通道层接触。
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