[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201210162113.2 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102693918A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 曾伟豪;周奇纬;丁宏哲 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管及其制造方法,薄膜晶体管包括在基板上形成栅极,在栅极上形成绝缘层,然后在绝缘层上形成通道层。再来,在通道层上形成第一材料层,其中第一材料层包括含氧的绝缘材料。然后,在第一材料层上形成第二材料层,其中第二材料层包括金属材料。之后,在第二材料层以及第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出通道层。然后,在第二材料层上形成源极以及漏极,其中源极以及漏极通过接触窗开口而与通道层接触。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在一基板上形成一栅极;在该栅极上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一通道层;在该通道层上形成一第一材料层,该第一材料层包括一含氧的绝缘材料;在该第一材料层上形成一第二材料层,该第二材料层包括一金属材料;在该第二材料层以及该第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出该通道层;以及在该第二材料层上形成一源极以及一漏极,该源极以及该漏极通过这些接触窗开口而与该通道层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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