[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210162593.2 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103426907A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;崔虎山;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述衬底中，且形成至少一个开口区；沟道区，位于所述开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅电极层，位于所述沟道区上方；源漏区，位于所述沟道区的两侧，包括为所述沟道区提供应变的应力层；其中，所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层，作为所述应力层的晶种层；以及，所述衬底与所述浅沟槽隔离之间具有衬垫层和垫氧化层。在STI和源漏区应力层中间插入衬垫层作为外延生长的晶种层或成核层，借此而消除了在源漏应变工程中STI边缘效应，也即消除了STI与源漏区应力层之间的空隙，防止了源漏应变对沟道应力的减小，提高了M0S器件的载流子迁移率从而提高了器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述衬底中，且形成至少一个开口区；沟道区，位于所述开口区内；栅堆叠，包括栅介质层和栅电极层，位于所述沟道区上方；源漏区，位于所述沟道区的两侧，包括为所述沟道区提供应变的应力层；其中，所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层，作为所述应力层的晶种层；以及，所述衬底与所述浅沟槽隔离之间具有衬垫层和垫氧化层。
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