[发明专利]光刻关键尺寸的量测标记无效
申请号: | 201210162852.1 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103424993A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 陈福成 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻关键尺寸的量测标记,其包含至少一条线条图形和与该线条图形相连接的多个支撑图形。本发明通过在光刻标记图形周围增加一些支撑点,增加了光刻胶与当前标记层的接触面积,加大了光刻胶之间的张力,从而有效避免了光刻关键尺寸量测标记在芯片划片槽中重叠或相邻放置时,由于前层标记的膜层或注入条件的影响而发生后层标记倒塌的情况。 | ||
搜索关键词: | 光刻 关键 尺寸 标记 | ||
【主权项】:
光刻关键尺寸的量测标记,其特征在于,包含至少一条线条图形和与该线条图形相连接的多个支撑图形。
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