[发明专利]沟槽型功率器件的形成方法在审
| 申请号： | 201210163160.9 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102789988A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括外围区和器件区；在半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层在器件区具有沟槽图案；以掩膜层为掩膜，刻蚀器件区半导体衬底，形成沟槽；去除掩膜层后，于沟槽内填充满多晶硅层；在半导体衬底、多晶硅层上形成场板层；刻蚀去除器件区的场板层，且使外围区场板层呈分立排列。本发明提供一种沟槽式功率器件的形成方法，提高沟槽型功率器件的工艺良率和沟槽型功率器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，包括外围区和器件区；在半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层在器件区具有沟槽图案；以掩膜层为掩膜，刻蚀器件区半导体衬底，形成沟槽；去除掩膜层后，于沟槽内填充满多晶硅层；在半导体衬底、多晶硅层上形成场板层；刻蚀去除器件区的场板层，且使外围区场板层呈分立排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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