[发明专利]一种耗尽管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210164447.3 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426762A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种耗尽管及其制作方法，用以解决现有技术中由于在牺牲氧化层湿法剥除中会损失掉被耗尽离子注入到的场氧而造成制作出来的耗尽管用作只读存贮器时不足以起到隔离效果，有可能造成漏电而使器件工作失效的问题。本发明实施例提供的耗尽管的制作方法包括：在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。本发明实施例在牺牲氧化层湿法剥除中不会造成场氧损失，因而耗尽管用作只读存贮器时能够起到很好的隔离效果，从而避免了只读存贮器因为漏电而不能正常工作的问题，进一步提高了只读存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尽管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种耗尽管的制作方法，其特征在于，该方法包括：在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层，且进行阈值电压注入后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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