[发明专利]一种半导体材料表面光电压的测量方法无效
| 申请号： | 201210164886.4 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102662096A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 薛名山;李文;王法军;欧军飞;吴海南 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征是方法步骤为：（1）准备需要测量的表面清洁的半导体材料；（2）准备好开尔文探针系统和照射光源；（3）利用开尔文探针系统测量在光照射前后半导体材料表面电子功函数的变化曲线图，读取光照射前后材料表面的电子功函数值；（4）计算得出半导体材料表面光电压。本发明的特点是：利用开尔文探针测量半导体材料在光照射前后的电子功函数变化，从而获得表面光电压数据。本发明的优点是：该测量方法是一种无损检测方法，具有操作简单便捷、经济实用、数据精确等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 表面光 电压 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征在于，包含以下步骤：（1）将需要测量的半导体样品表面进行清洁处理，去掉表面的污染物和油脂等；（2）打开开尔文探针系统，调节系统控制参数，使其保持在稳定的工作状态；根据所测半导体材料的能带带隙，调节照射光源的发射光频率和光强；（3）将半导体样品放置在开尔文探针下，测量样品表面电子功函数；待所测电子功函数保持稳定后，记录下所测电子功函数W1；打开光源，使光线照射在样品表面，同时测量其电子功函数；待光照射下所测的电子功函数保持稳定后，记录下所测电子功函数W2；关闭光源，观测所测电子功函数随时间的衰减变化，记录下电子功函数的整个变化过程；（4）利用公式Vp = W2 ‑ W1计算得出半导体材料的表面光电压。
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