[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210164993.7 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426745A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成金属刻蚀停止层；刻蚀所述金属硬掩膜层形成分立的暴露金属刻蚀停止层表面的第一开口和第二开口，第一开口宽度小于第二开口宽度，所述金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比。以金属刻蚀停止层作为刻蚀停止层，当刻蚀金属硬掩膜层形成宽度不同的第一开口和第二开口时，但由于金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比，第一开口和第二开口底下对应的金属刻蚀停止层的过刻蚀量可以忽略不计，不会对后续的工艺窗口产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成金属刻蚀停止层；在金属刻蚀停止层表面形成金属硬掩膜层；刻蚀所述金属硬掩膜层，形成分立的暴露金属刻蚀停止层表面的第一开口和第二开口，第一开口宽度小于第二开口宽度，所述金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
