[发明专利]一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺有效
申请号: | 201210165251.6 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN102709163A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 沈辉;刘超;梁齐兵 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/306 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 510006 广东省广州市大*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于太阳电池技术领域,具体公开基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺。其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片:(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。该制绒工艺不需要太高功率的激光器,节约能源和加工成本;而且其工艺是被控制在光斑以内而对其他位置的硅片影响很小;此外,其制作过程简便快捷;在制绒过程中不会产生有毒气体,避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响;其能大大提升工艺过程的速度,具有很好的产业化前景;能极大地提高电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 激光 干涉 诱导 反应 晶体 硅制绒 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片从而发生化学反应:选择合适的激光波长、脉冲频率、激光功率,将激光光束进行均匀化处理,通过分光镜或光栅形成干涉图样;(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造