[发明专利]一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺有效

专利信息
申请号: 201210165251.6 申请日: 2012-05-24
公开(公告)号: CN102709163A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 沈辉;刘超;梁齐兵 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/306
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍
地址: 510006 广东省广州市大*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于太阳电池技术领域,具体公开基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺。其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片:(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。该制绒工艺不需要太高功率的激光器,节约能源和加工成本;而且其工艺是被控制在光斑以内而对其他位置的硅片影响很小;此外,其制作过程简便快捷;在制绒过程中不会产生有毒气体,避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响;其能大大提升工艺过程的速度,具有很好的产业化前景;能极大地提高电池的效率。
搜索关键词: 一种 基于 激光 干涉 诱导 反应 晶体 硅制绒 工艺
【主权项】:
一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片从而发生化学反应:选择合适的激光波长、脉冲频率、激光功率,将激光光束进行均匀化处理,通过分光镜或光栅形成干涉图样;(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。
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