[发明专利]雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列

摘要

本发明得到能实现较大的开口率的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)的主表面上，依次层叠了雪崩倍增层(3)、p型InP电场缓冲层(4)、光吸收层(5)、及掺杂InP窗层(6)。在掺杂InP窗层(6)的一部分设有p型杂质区域(8)。直线状p侧电极(9)配置在p型杂质区域(8)上且与p型杂质区域(8)连接。直线状p侧电极(9)从与n型InP衬底(1)的主表面相向的平面上看呈直线状。

主权项

一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面上依次层叠的雪崩倍增层、电场缓冲层、光吸收层、及窗层；设于所述窗层的一部分的第二导电型的杂质区域；以及直线状电极，其配置在所述杂质区域上且与所述杂质区域连接，从与所述半导体衬底的所述主表面相向的平面上看该电极呈直线状。