[发明专利]双面背接触太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201210166623.7 | 申请日： | 2012-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102683494A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;王登志;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、制绒；(2)扩散，在硅片背面形成第一扩散层；(3)在硅片的正面和背面制备阻挡膜；(4)在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；(5)将硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；(6)去除硅片正面的阻挡膜；(7)开孔；(8)扩散，在硅片正面、孔内及背面开窗区域形成第二扩散层；(9)刻蚀；去除阻挡膜，清洗；(10)设置钝化减反射膜；(11)设置金属电极；烧结。本发明在硅片的正面和背面制备了阻挡膜，再配合采用开窗、腐蚀的方法预先开设出孔的周围区域，然后进行开孔，得到了双面背接触太阳能电池，该结构的太阳能电池不存在扩散制结处的短路问题，取得了显著的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(2) 硅片背靠背进行单面扩散，硅片的背面为扩散面，在硅片背面形成第一扩散层；(3) 在硅片的正面和背面制备阻挡膜；(4) 在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；所述部分区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；(5) 将步骤(4)得到的硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；(6) 去除硅片正面的阻挡膜；(7) 在硅片上开孔；清洗硅片表面；(8) 将步骤(7)得到的硅片进行扩散，在硅片的正面、孔内以及硅片背面的孔的周围区域形成第二扩散层；(9) 刻蚀周边结；去除硅片背面的阻挡膜，清洗硅片表面；(10) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(11) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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