[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210167377.7 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426768A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，通过在源漏沟槽首先外延与阱相同杂质的外延层作为保护层，防止CMOS的器件的串通，以完全替代HALO或者部分代替HALO的作用，然后再进行源漏区域外延，通过这种方法可以增加器件的性能及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制造具有外延生长源漏区域的晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入；形成栅极绝缘层、栅极，定义并形成栅极图形；形成虚设间隙壁，其覆盖在所述栅极的侧壁上；形成源漏区域沟槽；外延生长源漏区域保护层，其位于所述源漏区域沟槽的侧壁和底部；外延生长源漏区域，其向晶体管沟道区域提供应力；形成源漏间隙壁；进行退火处理，形成源漏区域；在所述源漏区域上形成金属硅化物，其作为所述源漏极的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
