[发明专利]发光二极管阵列与其形成方法无效
| 申请号： | 201210167847.X | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426895A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 卢怡安 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 英属开曼群岛KY1-1*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供发光二极管阵列与其形成方法。其中，发光二极管阵列中的一或多个发光二极管，被蚀刻形成接触单元，以作为发光二极管阵列与外部电耦合的端点。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列的形成方法，包含：形成一磊晶结构在一暂时基板上，所述磊晶结构包含一第一型掺杂层、一发光层以及一第二型掺杂层；蚀刻所述磊晶结构，以形成多个发光二极管；蚀刻一或多个所述发光二极管，移除所述发光层以及所述第二型掺杂层，并暴露至少部分所述第一型掺杂层，由此形成一或多个接触单元；通过一或多个内联机电耦合(electrically coupled)所述接触单元及/或所述发光二极管；形成一功能结构在所述多个发光二极管与所述一或多个接触单元上方；以及移除所述暂时基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
