[发明专利]一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用无效
| 申请号： | 201210168177.3 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102677013A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘超前;柴卫平;王楠 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/032 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用，属于新能源及新材料制备领域，具体涉及太阳能电池薄膜制备领域。该制备方法采用单靶磁控溅射技术和快速热处理技术相结合制备铜铟镓硒薄膜，整个制备过程无硒化步骤。制得的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿物相结构，可用作太阳能电池的光吸收层。本发明所述方法工艺简单，膜基附着性强、无需硒化处理、利于环保和节能、便于大面积生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu in sub ga se 薄膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种Cu(In1‑xGax)Se2薄膜的制备方法，为磁控溅射方法，包括下述工艺步骤：a.预制薄膜制备：在惰性气氛下，磁控溅射的溅射功率：30W~400W，溅射气压为0.1Pa~5.0Pa，靶基距为5cm~15cm，靶材为Cu(In1‑xGax)Se2陶瓷靶，x=0.2~0.3；b.热处理：采用光辐射加热方法，在惰性气氛下，升温速率为50~150°C/s，晶化温度450～600°C，在晶化温度保温10min~60min。
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