[发明专利]CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法及装置有效
| 申请号： | 201210168331.7 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102694999A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;任晓慧 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/351 | 分类号： | H04N5/351;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法及装置。选择方法包括：计算光强值，所述光强值与图像亮度Y、曝光时间TEXP、感光二极管的当前光能转化增益FD以及第二增益GAIN有关；从所述感光二极管具备的光能转化增益系列中选择与所述光强值匹配的光能转化增益；所述光能转化增益系列至少包括两种光能转化增益。选择装置包括：光强值计算单元、光能转化增益选择单元。本发明能根据不同的光强，智能化地选择合适的光能转化增益，有效解决高光下黄带与暗光下灵敏度不够的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 传感器 感光 二极管 光能 转化 增益 选择 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：计算光强值，所述光强值与图像亮度（Y）、曝光时间（TEXP）、感光二极管的当前光能转化增益（FD）以及第二增益（GAIN）有关；从所述感光二极管具备的光能转化增益系列中选择与所述光强值匹配的光能转化增益，所述光能转化增益系列至少包括两种光能转化增益。
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