[发明专利]提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法无效
| 申请号： | 201210169475.4 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102664150A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下PMOS区域上的第二二氧化硅层；辐射步骤，用于利用紫外光对第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及第二二氧化硅层去除步骤，用于去除PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。根据本发明，通过使用紫外光对硅片的NMOS区域的低应力氮化硅进行照射，从而使NMOS区域的氮化硅产生高的张应力，而PMOS区域没有高的张应力产生，从而减少了接触刻蚀阻挡层工艺对PMOS性能衰退的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 接触 刻蚀 阻挡 工艺 pmos 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对所述第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除所述NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下所述PMOS区域上的第二二氧化硅层；辐射步骤，用于利用紫外光对所述第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及第二二氧化硅层去除步骤用于去除所述PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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