[发明专利]一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构，包括：版图设计完全相同并列排布的两个非对称LDMOS器件，所述两个非对称LDMOS器件共P型阱区，所述共P型阱区中形成有间隔排列的N型重参杂区和P型重参杂区；所述两个非对称LDMOS器件共用一衬底引出端，所述两个非对称LDMOS源极均与共用衬底引出端通过金属硅化物以及接触孔和金属引线共接，所述两个非对称LDMOS栅极分别作为引出端，所述两个非对称LDMOS漏极分别作为引出端。本发明还公开了一种非对称LDMOS工艺偏差监控结构的制造方法。本发明的监控结构通过测量两个设计相同的非对称LDMOS器件电学性能上的差异，判断工艺上关键层次偏差的大小。通过调整工艺的方法来减小非对称LDMOS器件的偏差，提高器件性能以及面内的均一性。

主权项

一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构，其特征是，包括：版图设计完全相同并列排布的两个非对称LDMOS器件，所述两个非对称LDMOS器件具有共P型阱区，所述共P型阱区中形成有间隔排列的N型重参杂区和P型重参杂区；所述两个非对称LDMOS器件共用一衬底引出端，所述两个非对称LDMOS的源极均与共用的衬底引出端通过金属硅化物以及接触孔和金属引线共接，所述两个非对称LDMOS的栅极分别作为引出端，所述两个非对称LDMOS的漏极分别作为引出端。