[发明专利]用于硅片刻蚀的方法及设备有效
| 申请号： | 201210169710.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456619A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王大男 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅片刻蚀的方法。所述方法包括：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。所述方法有效地解决硅片刻蚀过程产生的黑边或方阻上升问题。本发明还公开了一种用于硅片刻蚀的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 刻蚀 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于硅片的刻蚀方法，所述硅片的上表面、下表面以及边缘处形成有磷硅玻璃，其特征在于，包括以下步骤：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；以及（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
