[发明专利]低压差线性稳压电路无效

专利信息
申请号: 201210169822.3 申请日: 2012-05-29
公开(公告)号: CN102681582A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 黄从朝 申请(专利权)人: 昆山锐芯微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 215300 江苏省苏州市昆山市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种具有高电源抑制比的低压差线性稳压电路,包括:误差放大器、缓冲电路、PMOS调整晶体管、补偿电路、分压反馈电路和输出电路;误差放大器为新型误差放大器,第五PMOS管的宽长比与第六PMOS管的宽长比的比值、第七PMOS管的宽长比与第八PMOS管的宽长比的比值以及第九NMOS管与第十NMOS管的宽长比的比值均为1:K;K为大于1的整数。改变上述MOS管宽长比之间的比值不仅使误差放大器输出节点对电源的电阻减小,而且电流放大技术把从电流镜低阻点进入的电源干扰进行放大,使误差放大器输出信号中的电源高频小信号干扰不会过分衰减,从而使到达PMOS调整晶体管栅极的电源干扰信号更好地随电源电压变化而变化,提高了电路的电源抑制比。
搜索关键词: 低压 线性 稳压 电路
【主权项】:
一种低压差线性稳压电路,其特征在于,包括:误差放大器、缓冲电路、PMOS调整晶体管、补偿电路、分压反馈电路和输出电路;所述误差放大器,用于将所述分压反馈电路输出的分压电压与基准电压进行比较,并将比较结果放大后输出至所述缓冲电路;所述缓冲电路,用于进行阻抗匹配以隔离误差放大器的输出阻抗节点与PMOS调整晶体管的栅极寄生电容节点,并在为接收到的比较结果提供驱动后,将所述比较结果输出至PMOS调整晶体管的栅极;所述PMOS调整晶体管的源极连接电源电压,漏极作为低压差线性稳压电路的输出端;所述分压反馈电路,用于对所述PMOS调整晶体管漏极的电压进行分压,并将分压电压反馈至误差放大器;所述输出电路连接所述PMOS调整晶体管的漏极,用于减小输出电压纹波;所述补偿电路的一端连接电源电压,另一端连接所述误差放大器的输出端,用于对所述低压差线性稳压电路进行补偿以使其稳定;其中,所述误差放大器包括:尾电流源及输入差分对、PMOS共源共栅电流镜和NMOS恒流源偏置及折叠管;所述尾电流源及输入差分对包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;所述PMOS共源共栅电流镜包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管;所述NMOS恒流源偏置及折叠管包括第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管;第一PMOS管的栅极连接第一偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接第二PMOS管的源极;第二PMOS管的栅极连接第二偏置电压,漏极连接第 三PMOS管和第四PMOS管的源极;第三PMOS管栅极的连接分压反馈电路输出的分压电压,漏极连接第十一NMOS管的漏极;第四PMOS管的栅极连接基准电压;漏极连接第十二NMOS管的漏极;第五PMOS管和第六PMOS管的栅极均连接第七PMOS管的漏极,第五PMOS管和第六PMOS管的源极连接电源电压,第五PMOS管的漏极连接第七PMOS管的源极;第六PMOS管的漏极连接第八PMOS管的源极;第七PMOS管和第八PMOS管的栅极均连接第二偏置电压,第七PMOS管的漏极连接第九NMOS管的漏极;第八PMOS管的漏极连接第十NMOS管的漏极,并作为所述误差放大器的输出端;第九NMOS管和第十管的栅极均连接第三偏置电压,第九NMOS管的源极连接第十一NMOS管的漏极,第十NMOS管的源极连接第十二NMOS管的漏极;第十一NMOS管和第十二NMOS管的栅极均接第四偏置电压,源极均接地GND;所述第五PMOS管的宽长比与第六PMOS管的宽长比的比值、所述第七PMOS管的宽长比与第八PMOS管的宽长比的比值以及所述第九NMOS管与第十NMOS管的宽长比的比值均为1:K;其中,K为大于1的整数。
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