[发明专利]一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210169975.8 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102709419A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张雄;郭浩;韩乐;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底（1），生长在衬底（1）上的具有第一光栅结构的介质薄膜层（2），与介质薄膜层（2）键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层（3），生长在p型GaN外延层（3）上的InGaN多量子阱有源发光层（4）和生长在InGaN多量子阱有源发光层（4）上的n型GaN外延层（5），其中，第一光栅结构与第二光栅结构以0～90°之间的任一交叉角度键合在一起，构成交叉光栅结构。本发明有效提高发光二极管的出光效率，有利于进一步提高发光二级管的光提取效率和导热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 交叉 光栅 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有交叉光栅结构的发光二极管，其特征在于：该发光二极管包括衬底（1），生长在衬底（1）上的具有第一光栅结构的介质薄膜层（2），与介质薄膜层（2）键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层（3），生长在p型GaN外延层（3）上的InGaN多量子阱有源发光层（4）和生长在InGaN多量子阱有源发光层（4）上的n型GaN外延层（5），其中，第一光栅结构与第二光栅结构以0～90°之间的任一交叉角度键合在一起，构成交叉光栅结构。
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