[发明专利]三硒化二铋的制备方法有效
申请号: | 201210170233.7 | 申请日: | 2012-05-28 |
公开(公告)号: | CN103449384A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 胡智向;卢金生;文崇斌;毛简;吴广杰;朱刘 | 申请(专利权)人: | 广东先导稀材股份有限公司 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨;温泉 |
地址: | 511500 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种三硒化二铋的制备方法,包括步骤:将硒粉和铋粉按规定摩尔比混合,以获得混料,其中硒过量;将混料装入石墨舟内;装有混料的石墨舟放入石英管内;将石英管置于水平合成炉内;向石英管内通入惰性气体;在惰性气体保护下,使得水平合成炉加热升温至三硒化二铋的熔点以上,以使硒铋和进行合成反应,以获得三硒化二铋;在合成反应之后,使水平合成炉降温至室温,以获得三硒化二铋晶体。本发明对设备要求低、成本低、产品质量好、无毒害、污染物少。 | ||
搜索关键词: | 三硒化二铋 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三硒化二铋的制备方法,包括步骤:将硒粉和铋粉按规定摩尔比混合,以获得混料,其中硒过量;将混料装入石墨舟内;装有混料的石墨舟放入石英管内;将石英管置于水平合成炉内;向石英管内通入惰性气体;在惰性气体保护下,使得水平合成炉加热升温至三硒化二铋的熔点以上,以使硒铋和进行合成反应,以获得三硒化二铋;在合成反应之后,使水平合成炉降温至室温,以获得三硒化二铋晶体。
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