[发明专利]双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210171180.0 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102684066A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张普;王警卫;梁雪杰;宗恒军;刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/042 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率的激光输出。该双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。本发明采用上下两个微通道制冷器，大大增加散热面积，达到减小器件热阻，提高散热能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 双通道 液体 制冷 多量 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。
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