[发明专利]复合式压力传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201210171708.4 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102692294A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种复合式压力传感器及其形成方法，复合式压力传感器包括：基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。本技术方案的压力传感器相对于现有技术单一模式的压力传感器可以提高压力感测的精度，扩大压力感测的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种复合式压力传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。
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