[发明专利]CMOS的制造方法

摘要

本发明提供了一种CMOS的制造方法，通过去除定义NMOS栅极结构的硬掩膜层，保留PMOS栅极结构上的硬掩膜后通过一次刻蚀在NMOS栅极结构两侧形成低于NMOS栅极结构的第一侧壁，以及在PMOS栅极结构两侧形成高于PMOS栅极结构的第二侧壁，在为形成NMOS栅极金属硅化物提供了更多位置的同时，避免了PMOS栅极形成金属硅化物时多晶硅侧扩散的问题，且简化了工艺流程。

主权项

一种CMOS的制造方法，包括：提供预定义有NMOS区域及PMOS区域的衬底，并在NMOS区域及PMOS区域之间形成隔离结构；在所述衬底上依次形成氧化层、多晶硅层和硬掩膜层，图案化所述硬掩膜层并对所述多晶硅层及氧化层进行刻蚀，以分别形成NMOS及PMOS的栅极结构；形成覆盖PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上硬掩膜层的阻挡层，暴露NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层，并刻蚀去除所述NMOS栅极结构上的硬掩膜层；去除所述阻挡层，并形成覆盖所述NMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构上的硬掩膜层表面的绝缘层；干法刻蚀所述绝缘层，以在所述NMOS栅极结构两侧形成第一侧壁，在所述PMOS栅极结构及PMOS栅极结构上的硬掩膜层两侧形成第二侧壁，其中，所述第一侧壁的高度低于所述NMOS栅极结构高度，所述第二侧壁的高度高于所述PMOS栅极结构的高度；刻蚀去除所述PMOS栅极结构上的硬掩膜层；以所述NMOS栅极结构、第一侧壁、PMOS栅极结构和第二侧壁作为阻挡，对所述衬底进行离子注入以形成NMOS和PMOS的源/漏极区；沉积金属层，以覆盖所述衬底表面、NMOS栅极结构表面、第一侧壁表面、PMOS栅极结构表面和第二侧壁表面，并退火以形成金属硅化物；刻蚀去除剩余的所述金属层。