[发明专利]含硅掺杂氧化锆的电容介电层及其电容结构有效
| 申请号： | 201210171876.3 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103247622A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 诺埃尔·落克连;维许瓦耐·巴赫特;克里斯·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容结构，其包含一储存电极、一电容介电层，以及一上电极，位于所述电容介电层上。电容介电层包含一硅掺杂二氧化锆层，或者一ZrSiOx结晶层，其中Si/(Zr+Si)原子含量介于4-9%。电容介电层另包含一TiO2/TiON中介层，介于储存电极与电容介电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化锆 电容 介电层 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种电容介电层，其特征在于，包含一硅掺杂二氧化锆层，其Si/(Zr+Si)原子含量介于4‑9%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
