[发明专利]一种化学机械平坦化浆料及其应用有效
| 申请号： | 201210172583.7 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103450810B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 徐春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械平坦化浆料及其应用，包括研磨颗粒、氧化剂，抛光速率提升剂，腐蚀抑制剂，抛光表面改善剂和载体。本发明的化学机械平坦化浆料可以在通过抛光体系的作用同时控制硅和铜金属抛光速率，同时控制硅和金属的材料的局部和整体缺陷，减少衬底表面污染物，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 平坦 浆料 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种用于硅和铜抛光的化学机械平坦化浆料，其特征在于，由研磨颗粒、氧化剂，抛光速率提升剂，腐蚀抑制剂，抛光表面改善剂、载体及pH调节剂组成，其中，所述腐蚀抑制剂为氮唑、咪唑、噻唑、吡啶或嘧啶类化合物，所述抛光表面改善剂为阴离子和/或非离子表面活性剂，所述抛光表面改善剂的浓度为0.001～1wt％，所述腐蚀抑制剂的浓度为0.001～1wt％，所述研磨颗粒的浓度为2～50wt％，所述氧化剂的浓度为0.1～10wt％，所述抛光速率提升剂的浓度为0.05～10wt％，所述载体为余量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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