[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种改良的肖特基二极管结构及其制造方法。此肖特基二极管结构具有p型主体区域在操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及场-平板结构在操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。N阱区域注入于该硅衬底内的一p型外延层之上，且可以作为该肖特基二极管的一阴极，以及N阱区域注入于该高电压N阱区域内可以作为该肖特基二极管的阳极。此肖特基二极管结构也可以作为一低端金属氧化物半导体场效晶体管结构。

主权项

一种肖特基二极管，包含：一个或多个p型主体区域，操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径；以及一个或多个场‑平板结构，操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。