[发明专利]高压P型LDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210174552.5 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456784B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 邢超;刘剑;孙尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压P型LDMOS器件，是利用浅槽隔离结构刻蚀工艺来改善其击穿电压的方法，将高压PLDMOS的漏扩展区P型阱的注入能量微调，使垂直方向参杂浓度的峰值位于硅片中0.3μm～0.5μm深度，与浅槽隔离结构刻蚀深度相近，通过浅槽隔离结构刻蚀，可使浅槽隔离结构下方的P型阱的掺杂浓度降低，通过后续的热推进工艺，可在器件漏端形成台阶状的P型阱，靠近N型阱的P型阱区域浓度低、结深较浅；漏端下方的P型阱区域浓度高、结深较深。这种新的结构可以分别优化水平方向的PN结构的击穿电压和垂直方向的PNP结构的穿通电压，使器件的击穿电压提高，比导通电阻减小。本发明还公开了所述高压P型LDMOS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压P型LDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：步骤1，浅槽隔离结构刻蚀之前，进行漏扩展区的P型阱注入，通过注入能量微调，使垂直方向的掺杂浓度峰值位于和浅槽隔离结构刻蚀深度相近的0.3～0.5μm的深度范围内；步骤2，进行浅槽隔离结构刻蚀，刻蚀区域的掺杂硅被去除，浅槽隔离结构下方的P型阱中杂质的总数量降低；步骤3，采用热推进工艺，在器件漏扩展区的浅槽隔离结构下形成台阶状的P型阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210174552.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件结构
- 下一篇：阵列基板及其制作方法、柔性显示器件及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
