[发明专利]超级结制作方法无效
| 申请号： | 201210174799.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103050408A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结制作方法，在深沟槽内填充P型单晶硅且形成P型柱之后，利用定义所述深沟槽的光罩层定义出离子注入区域，然后注入P型离子。本发明通过改善超级结的制造工艺流程，在P型柱形成之后，在P型柱顶端增加一步离子注入，从而增加P型柱顶端的离子掺杂浓度，改善P阱区的电阻，优化器件的耐雪崩击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级结制作方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅且形成P型柱之后，利用定义所述深沟槽的光罩层定义出离子注入区域，然后注入P型离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
