[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201210174858.0 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187502A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 徐志豪;宣融;张郁香;黄荣俊;陈俊颖 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/32;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提出一种氮化物半导体发光元件，其包括N型氮化物半导体层、P型氮化物半导体层、发光半导体层、第一金属垫、第二金属垫及第一磁性材料层。发光半导体层配置于N型氮化物半导体层与P型氮化物半导体层之间。第一金属垫与N型氮化物半导体层电性连接。第二金属垫与P型氮化物半导体层电性连接。第一磁性材料层配置于第一金属垫与N型氮化物半导体层之间。第一磁性材料层平行于N型氮化物半导体层的(0001)面的分布面积大于或等于第一金属垫平行于此(0001)面的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：N型氮化物半导体层；P型氮化物半导体层；发光半导体层，配置于该N型氮化物半导体层与该P型氮化物半导体层之间；第一金属垫，与该N型氮化物半导体层电性连接；第二金属垫，与该P型氮化物半导体层电性连接；以及第一磁性材料层，配置于该第一金属垫与该N型氮化物半导体层之间，其中该第一磁性材料层平行于该N型氮化物半导体层的(0001)面的分布面积大于或等于该第一金属垫平行于该(0001)面的面积。
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