[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210174859.5 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810610A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具有：生长用基板、形成于所述生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于所述n型氮化物半导体层上的发光层、形成于所述发光层上的p型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从所述n型氮化物半导体层的位于所述发光层侧的表面朝向所述基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
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