[发明专利]基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法有效
| 申请号： | 201210175095.1 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810593A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | S.D.费尔德曼-皮博迪;R.D.戈斯曼 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/073 | 分类号： | H01L31/073;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为“基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法”。提供薄膜光伏器件(10)，其一般包括玻璃上的透明传导氧化层(14)、透明传导氧化层(14)上的多层n型堆栈(16)、以及多层n型堆栈(16)上的碲化镉层(20)。该多层n型堆栈(16)一般包括第一层(17)和第二层(18)，其中第一层(17)包含镉和硫，而第二层(18)包含镉和氧。在某些实施例中，该多层n型堆栈(16)可以包括附加层(例如，第三层(19)、第四层等)。还一般提供用于制造这种薄膜光伏器件(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碲化镉 薄膜 器件 多层 堆栈 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜光伏器件(10)，包括：玻璃(12)；所述玻璃(12)上的透明传导氧化层(14)；所述透明传导氧化层(14)上的多层n型堆栈(16)，其中所述多层n型堆栈(16)包括第一层(17)和第二层(18)，所述第一层(17)包含镉和硫，而所述第二层(18)包含镉和氧；以及所述多层n型堆栈(16)上的吸收器层(20)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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