[发明专利]一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201210176000.8 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102683519A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 赵建宜;黄晓东;刘文 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其制作步骤为：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、波导层、欧姆接触层、牺牲层；步骤2：采用掩膜方法在牺牲层上制作掩膜，所述掩膜的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层，然后高温退火处理；步骤4：去除残余的掩膜及牺牲层，光刻并刻蚀波导层和欧姆接触层，形成脊型波导结构，制作电极，完成器件的芯片结构制作；步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的端面镀膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管；本发明方法工艺简单，无需特殊的外延生长技术或多次光刻沉积过程，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 半导体 辐射 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：其制作步骤具体如下：步骤1：制作外延片：在衬底（1）上依次外延生长缓冲层（2）、下限制层（3）、多量子阱有源层（4）、上限制层（5）、波导层（6）、欧姆接触层（7）、牺牲层（8）；步骤2：采用掩膜方法在牺牲层（8）上制作掩膜（9），所述掩膜（9）的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层（8），然后高温退火处理；步骤4：去除残余的掩膜（9）及牺牲层（8），沿（011）晶向光刻并刻蚀波导层（6）和欧姆接触层（7），形成脊型波导结构，制作电极（10），完成器件的芯片结构制作；步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的两个端面镀膜，一端镀高反射膜，另一端镀增透膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210176000.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学元件，含有该元件的光电器件及其制备
- 下一篇：盐雾划痕试验设备
