[发明专利]一种四元系LED芯片及其切割方法有效
| 申请号： | 201210176154.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709409A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523590 广东省东莞市谢*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种四元系LED芯片，包括作为磊晶层基板的GaAs基板；GaAs基板的一面磊晶有磊晶层，即LED芯片的PN接面；GaAs基板另一面镀有薄膜Au，作为LED芯片的负极端；在磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜，在BeAu薄膜上还沉积有Au薄膜，作为LED芯片的正极端。一种四元系LED芯片的切割方法，具体包括以下步骤：（1）在LED芯片正极端一面用金刚石切割刀半切LED芯片，形成切割道，将等间距排列的LED芯片的正极端分隔开，LED芯片厚度为100μm-300μm，（2）LED芯片的正极端贴上蓝膜，负极端贴上麦拉膜；（3）将LED芯片的正极端朝下，负极端朝上放置于劈裂机的劈裂台上，用劈裂机的劈裂刀沿切割道将LED芯片压断，LED芯片被加工成了一个个独立的晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四元系 led 芯片 及其 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种四元系LED芯片，其特征在于：包括作为磊晶层基板的GaAs基板；所述GaAs基板的一面磊晶有磊晶层，即LED芯片的PN接面；所述GaAs基板另一面镀有Au薄膜层，作为所述LED芯片的负极端；在所述磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜层，在所述BeAu薄膜层上还沉积有Au薄膜层，作为所述LED芯片的正极端。
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