[发明专利]单边存取器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210176446.0 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103022036A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 何欣戎;林正平;施能泰;吴昌荣;林江宏;吴奇煌 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单边存取器件，包含有一有源鳍状结构，其包含一源极接触区与一漏极接触区，彼此由一绝缘区域所隔开；一第一沟渠绝缘结构，设在所述有源鳍状结构的一侧，且所述第一沟渠绝缘结构与所述绝缘区域交叉；一侧壁栅极，设在与所述第一沟渠绝缘结构相对的所述有源鳍状结构的另一侧，且位在所述绝缘区域之下，所述第一沟渠绝缘结构与所述侧壁栅极将所述主动鳍状结构夹在中间，其中所述侧壁栅极具有多个指状电极，啮合所述有源鳍状结构；以及一栅极介电层，设在所述侧壁栅极与所述有源鳍状结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 单边 存取 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单边存取器件，其特征在在，包含：有源鳍状结构，包含一源极接触区与一漏极接触区，彼此由一绝缘区域所隔开；第一沟渠绝缘结构，设在所述有源鳍状结构的一侧，且所述第一沟渠绝缘结构与所述绝缘区域交叉；侧壁栅极，设在与所述第一沟渠绝缘结构相对的所述有源鳍状结构的另一侧，且位在所述绝缘区域之下，所述第一沟渠绝缘结构与所述侧壁栅极将所述有源鳍状结构夹在中间，其中所述侧壁栅极具有多个指状电极，啮合所述有源鳍状结构；以及栅极介电层，设在所述侧壁栅极与所述有源鳍状结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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